[发明专利]使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201510840129.8 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105655244B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | M.耶利内克;J.G.拉文;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件。在单晶半导体衬底（500a）中形成第一掺杂区（115）。经过处理表面（102a）将轻离子（499）注入到半导体衬底（500a）中以在第一掺杂区（115）和处理表面（102a）之间生成晶格空位，其中被用于注入轻离子（499）的注入束的主束轴（495）偏离沿着其发生轻离子（499）的引导的主晶向（485）至多1.5度。在晶格空位和氢原子的基础上形成具有与第一掺杂区（115）相反的导电类型的第二掺杂区（122）。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 离子 注入 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在单晶半导体衬底（500a）中形成第一掺杂区（115）；经过处理表面（102a）将轻离子（499）注入到半导体衬底（500a）中以在第一掺杂区（115）和处理表面（102a）之间生成晶格空位，其中被用于注入轻离子（499）的注入束的主束轴（495）偏离沿着其发生轻离子（499）的引导的主晶向（485）至多1.5度；以及在晶格空位和氢原子的基础上形成具有与第一掺杂区（115）相反的导电类型的第二掺杂区（122）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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