[发明专利]低侧向效应微压电加速度传感器芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201510825263.0 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105353166A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 田边;刘汉月;杨宁 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/09 | 分类号： | G01P15/09 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低侧向效应微压电加速度传感器芯片及其制作方法，芯片由一对敏感梁与一对补充梁共同支撑悬空质量块并使其悬空，敏感梁上布置了压电薄膜，压电薄膜的上下表面都布置有上下电极，其中芯片的制作方法是通过干法刻蚀以及ICP等离子体刻蚀得到硅基底中的由悬空质量块、敏感梁和补充梁组成的可动结构，正面光刻并溅射形成芯片的上下电极，在硅质基底的背面粘结硼玻璃，硼玻璃与悬空质量块预留有一工作间隙，最后得到芯片，该芯片能够满足高灵敏度，低侧向效应的同时，具有较低谐振频率。 | ||
| 搜索关键词： | 侧向 效应 压电 加速度 传感器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
低侧向效应微压电加速度传感器芯片，包括硅质基底(1)，硅质基底(1)的背面与硼玻璃(3)键合，硅质基底(1)的中心空腔内配置有悬空质量块(4)，其特征在于：两根相同敏感梁(5)分别与悬空质量块(4)的一组对边相连，两根相同补充梁(6)则分别与悬空质量块(4)的另一组对边相连，敏感梁(5)和补充梁(6)共同支撑悬空质量块(4)，使其保持悬空状态，两根敏感梁(5)末端布置了两个压电薄膜(2)，通过压电薄膜(2)下表面的下电极(7)及压电薄膜(2)上表面的上电极(9)将产生电压输出。
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