[发明专利]电可编程熔丝单元、阵列以及存储单元有效
| 申请号： | 201510731242.2 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106653081B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 杨家奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了电可编程熔丝单元、阵列以及存储单元。电可编程熔丝单元包括：电可编程熔丝、第一二极管和第二二极管。电可编程熔丝包括：第一端和第二端。第一二极管的负极连接电可编程熔丝的第一端，第一二极管的正极连接写操作位线。第二二极管的负极连接电可编程熔丝的第一端，第二二极管的正极连接读操作位线。其中，电可编程熔丝的第二端连接至共享NMOSFET的漏极，该共享NMOSFET的栅极连接字线，该共享NMOSFET的源极接地。也可以将第一二极管和第二二极管合并成一个PNP型晶体管。由于每一行的电可编程熔丝单元使用一个共享的NMOSFET，因此可以减小器件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 单元 阵列 以及 存储 | ||
【主权项】：
一种电可编程熔丝单元，其特征在于，包括：电可编程熔丝、第一二极管和第二二极管；所述电可编程熔丝包括：第一端和第二端；所述第一二极管的负极连接所述电可编程熔丝的第一端，所述第一二极管的正极连接写操作位线；所述第二二极管的负极连接所述电可编程熔丝的第一端，所述第二二极管的正极连接读操作位线；其中，所述电可编程熔丝的第二端连接至共享N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET的漏极，所述共享NMOSFET的栅极连接字线，所述共享NMOSFET的源极接地。
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