[发明专利]特别用途的背照式光传感器集成电路接地系统

摘要

一种背面照明式光传感器数组的集成电路，其形成在薄化的电路晶圆，硅是至少在基板剥离区移除，其中掺杂边缘接触环围绕所述基板剥离区，所述边缘‑接触环形成在晶圆相同的第一侧中如同多个晶体管，且在晶圆的背面。背面金属被设置在晶圆的背面，所述背面金属具有在光传感器上的窗口开孔和具有在基板剥离区周围接触所述边缘‑接触环的侧壁。所述边缘‑接触环是在提供结构支撑和薄化所述装置晶圆之前形成在所述装置晶圆的第一侧中。基板剥离的区域，如焊垫开口和保护环开口，是通过除去硅暴露所述边缘‑接触区形成，并且背面金属是与侧壁的金属沉积在基板剥离区的边缘，从而接触所述边缘接触区。

主权项

一种制造适合于背面照明的光传感器数组集成电路的方法，包括：在装置晶圆的第一侧形成N信道金属氧化物半导体晶体管；形成至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区，所述高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区形成在所述装置晶圆的第一侧中；执行至少一次金属化处理，包括：1)在所述装置晶圆的第一侧上形成介电层，2)在位于所述装置晶圆的第一侧上的所述介电层上开孔，3)在所述装置晶圆的第一侧上沉积金属层，和4)在所述装置晶圆的第一侧上的所述金属层上光刻以限定金属形状；提供结构层，并且薄化所述装置晶圆的第二侧；借由移除装置晶圆的硅打开至少一个基板剥离区和对所述基板剥离区域暴露至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区，所述基板剥离区与焊垫相关联；在所述装置晶圆的第二侧上沉积背面金属，所述装置晶圆在所述基板剥离区的边缘具有侧壁金属，所述侧壁金属接触所述至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区域；和在背面金属中限定开口，所述开口用于光传感器上方的窗口和介于背面金属和所述集成电路的其它金属间的隔离间隙。