[发明专利]可变增益的低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 201510724999.9 申请日: 2015-10-30
公开(公告)号: CN105207636A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 李琛 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H03G3/30 分类号: H03G3/30;H03F3/45
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹英
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种增益可变的低噪声放大器,包括一对差分输入端、呈对称结构的第一放大电路和第二放大电路、以及一对差分输出端。第一放大电路包括构成一对差分共源管的第一和第二PMOS管、与差分共源管相连的构成一对共栅管的第三和第四PMOS管,以及第五PMOS管,该对共栅管的栅极接收可调的控制电压,第三PMOS管的漏极连接正向输出端。第二放大电路包括构成一对差分共源管的第六和第七PMOS管、与该差分共源管相连的构成的一对共栅管的第八和第九PMOS管,以及第十PMOS管,该对共栅管的栅极接收所述控制电压、第八PMOS管的漏极连接负向输出端。其中第九和第十PMOS管的漏极共同连接至第三PMOS管的漏极;第四和第五PMOS管的漏极共同连接至第八PMOS管的漏极。
搜索关键词: 可变 增益 低噪声放大器
【主权项】:
一种可变增益的低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器包括一对差分输入端、呈对称结构的第一放大电路和第二放大电路、以及一对差分输出端,其中,所述第一放大电路包括:构成一对差分共源管的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极分别接收一对差分输入信号、源极共同连接至第一尾电流源;第三PMOS晶体管,其栅极接收可调的控制电压、其源极连接所述第一PMOS晶体管的漏极、其漏极连接所述差分输出端的正向输出端;第四PMOS晶体管,其栅极接收所述控制电压、其源极连接所述第二PMOS晶体管的漏极;第五PMOS晶体管,其栅极接收固定的第一电压、其源极连接所述第二PMOS晶体管的漏极;所述第二放大电路包括:构成一对差分共源管的第六PMOS晶体管和第七PMOS晶体管,所述六PMOS第晶体管和第七PMOS晶体管的栅极分别接收一对电压值固定的差分电压信号、源极共同连接至第二尾电流源;第八PMOS晶体管,其栅极接收所述控制电压、其源极连接所述第六PMOS晶体管的漏极、其漏极连接所述差分输出端的负向输出端;第九PMOS晶体管,其栅极接收所述控制电压、其源极连接所述第七PMOS晶体管的漏极;第十PMOS晶体管,其栅极接收所述第一电压、其源极连接所述第七PMOS晶体管的漏极;其中所述第九PMOS晶体管和第十PMOS晶体管的漏极共同连接至所述第三PMOS晶体管的漏极;所述第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的漏极共同连接至所述第八PMOS晶体管的漏极。
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