[发明专利]形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的方法有效
| 申请号： | 201510716917.6 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105405766B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 谭俊;高剑琴;黄秋铭;钟健 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及一种形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的方法，包括以下步骤：在一个衬底上预制备栅极结构；在衬底的顶部刻蚀形成第一、第二沟槽，使栅极结构布置在衬底位于第一、第二沟槽之间的区域的上方；刻蚀第一、第二沟槽各自的侧壁直至在它们的侧壁上形成向内凹陷的凹槽；刻蚀第一、第二沟槽各自带有凹槽的侧壁以增加侧壁的粗糙程度；在第一、第二沟槽中填充锗硅材料以分别形成漏极区和源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 区外 延锗硅 均匀 轮廓 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在一个衬底上预制备栅极结构；S2：在衬底的顶部刻蚀形成第一、第二沟槽，使栅极结构布置在衬底位于第一、第二沟槽之间的区域的上方；S3：刻蚀第一、第二沟槽各自的侧壁直至在它们的侧壁上形成向内凹陷的凹槽；S4：刻蚀第一、第二沟槽各自带有凹槽的侧壁以增加侧壁的粗糙程度；S5：在第一、第二沟槽中填充锗硅材料以分别形成漏极区和源极区；在步骤S3中，藉由各向异性的湿法刻蚀，将第一、第二沟槽各自的侧壁刻蚀成带有上部倾斜面和下部倾斜面的Σ型的侧壁形貌；在步骤S3中，第一、第二沟槽各自侧壁带有的上部倾斜面和下部倾斜面均为<111>晶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
