[发明专利]SiC基板的研磨方法在审
| 申请号： | 201510713060.2 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105583720A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 小岛胜义;佐藤武志 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供SiC基板的研磨方法，能够较高地维持研磨的效率同时抑制晶格的紊乱。SiC基板的研磨方法中，供给研磨液(15)并且使研磨垫与SiC基板(11)接触来研磨SiC基板，研磨液含有高锰酸盐、具有氧化力的无机盐类以及水，该SiC基板的研磨方法构成为包含如下工序：第1研磨工序，使用第1研磨垫(18)来研磨SiC基板；以及第2研磨工序，在第1研磨工序之后，使用比第1研磨垫软的第2研磨垫(38)来研磨SiC基板。 | ||
| 搜索关键词： | sic 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC基板的研磨方法，对含有磨粒的研磨垫或者不含有磨粒的研磨垫供给研磨液，并且使该研磨垫与SiC基板接触来研磨SiC基板，其特征在于，该研磨液含有高锰酸盐、具有氧化力的无机盐类以及水，该SiC基板的研磨方法包含如下的工序：第1研磨工序，使用第1研磨垫来研磨SiC基板；以及第2研磨工序，在该第1研磨工序之后，使用比该第1研磨垫软的第2研磨垫来研磨SiC基板。
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