[发明专利]SiC基板的研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及SiC基板的研磨方法。

背景技术

在逆变器等功率电子设备中组装有应用于电力控制的被称作功率器件的半导体 元件。迄今为止的功率器件主要使用单晶Si(硅)进行制造，通过改良器件构造而实 现性能的提高。

但是，近年来基于器件构造的改良的性能提高达到极限。因此，相比单晶Si，关 注在功率器件的高耐压化、低损失化方面有利的单晶SiC(碳化硅)。

在由单晶SiC构成的基板上制作功率器件之前，利用CMP(化学性机械研磨) 将基板的表面平坦化。为了提高该CMP的研磨效率，开发出使用内含磨粒的研磨垫 和具有氧化力的研磨液的研磨技术(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2008-68390号公报

然而，当如上所述使用具有氧化力的研磨液来研磨单晶SiC基板时，单晶SiC的 晶格产生紊乱，功率器件的性能会大幅降低。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供一种SiC基板的研磨方法，能 够较高地维持研磨的效率同时抑制晶格的紊乱。

根据本发明，提供SiC基板的研磨方法，对含有磨粒的研磨垫或者不含有磨粒的 研磨垫供给研磨液，并且使该研磨垫与SiC基板接触来研磨SiC基板，其特征在于， 该研磨液含有高锰酸盐、具有氧化力的无机盐类以及水，该SiC基板的研磨方法包含 如下的工序：第1研磨工序，使用第1研磨垫来研磨SiC基板；以及第2研磨工序， 在该第1研磨工序之后，使用比该第1研磨垫软的第2研磨垫来研磨SiC基板。

在本发明的SiC基板的研磨方法中，由于使用含有高锰酸盐、具有氧化力的无机 盐类以及水的研磨液，在使用第1研磨垫研磨了SiC基板之后，使用比第1研磨垫软 的第2研磨垫来研磨SiC基板，因此能够较高地维持研磨的效率同时抑制晶格的紊乱。

附图说明

图1是示意性示出第1研磨工序的图。

图2是示意性示出第2研磨工序的图。

标号说明

2：研磨装置；4：卡盘工作台；4a：流路；6：保持板；6a：保持面；8：第1研 磨单元；10：第1主轴；10a：纵孔；12：第1轮座；12a：纵孔；14：第1研磨轮； 16：第1轮基台；16a：纵孔；18：第1研磨垫；18a：纵孔；20：供给源；28：第2 研磨单元；30：第2主轴；30a：纵孔；32：第2轮座；32a：纵孔；34：第2研磨轮； 36：第2轮基台；36a：纵孔；38：第2研磨垫；38a：纵孔；11：SiC基板；13：膜； 15：研磨液。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式的SiC基板的研磨方法至少 包含第1研磨工序和第2研磨工序。在第1研磨工序中，使用第1研磨垫来研磨SiC 基板。在第2研磨工序中，使用比第1研磨垫软的第2研磨垫来研磨SiC基板。以下， 对本实施方式的SiC基板的研磨方法进行详细描述。

首先，实施第1研磨工序，使用第1研磨垫来研磨SiC基板。图1是示意性示出 第1研磨工序的图。如图1所示，本实施方式中使用的研磨装置2具有吸引保持SiC 基板11的卡盘工作台4。

该卡盘工作台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，并绕与铅垂方向平行的 旋转轴旋转。并且，在卡盘工作台4的下方设置有移动单元(未图示)，卡盘工作台 4因该移动单元而在水平方向上移动。

在卡盘工作台4的上表面形成有凹部，在该凹部中嵌合由多孔质材料构成的保持 板6。保持板6的上表面成为对由单晶SiC构成的圆盘状的SiC基板11进行吸引保 持的保持面6a。通过形成在卡盘工作台4的内部的流路4a对该保持面6a作用吸引源 (未图示)的负压。

如图1所示，在SiC基板11的下表面上粘贴有直径比保持面6a大的膜13。如 果在使该膜13与保持面6a接触的状态下作用吸引源的负压，则SiC基板11隔着膜 13被吸引保持在卡盘工作台4上。

在卡盘工作台4的上方配置有对SiC基板11进行研磨的第1研磨单元8。第1 研磨单元8具有构成旋转轴的第1主轴10。在第1主轴10的下端部(末端部)设置 有圆盘状的第1轮座12。

在第1轮座12的下表面上安装有与第1轮座12大致相同直径的第1研磨轮14。 第1研磨轮14具有由不锈钢、铝等金属材料形成的第1轮基台16。