[发明专利]一种新型电子管在审
| 申请号： | 201510696467.9 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105336557A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周晓 | 申请（专利权）人： | 周晓 |
| 主分类号： | H01J1/13 | 分类号： | H01J1/13;H01J1/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210039 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型电子管，包括电子管瓷壳，安装在电子管瓷壳中的阴极引脚和阳极引脚，所述阴极引脚和阳极引脚并列排布在电子管瓷壳中，所述阴极引脚和阳极引脚的个数为多个，均匀分布在电子管瓷壳的四周，且所述阴极引脚和阳极引脚通过螺纹与电子管瓷壳连接，所述电子管瓷壳呈正方体型状，并在电子管瓷壳上设置有散热孔。本发明结构简单、设计合理，通过设置有多个阴极引脚和阳极引脚，便于在其中一个引脚发生损坏时还能够使用该电子管，提高电子管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电子管 | ||
【主权项】：
一种新型电子管，包括电子管瓷壳，安装在电子管瓷壳中的阴极引脚和阳极引脚，所述阴极引脚和阳极引脚并列排布在电子管瓷壳中，其特征在于：所述阴极引脚和阳极引脚的个数为多个，均匀分布在电子管瓷壳的四周，且所述阴极引脚和阳极引脚通过螺纹与电子管瓷壳连接, 所述电子管瓷壳呈正方体型状，并在电子管瓷壳上设置有散热孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周晓，未经周晓许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510696467.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种具有三维结构表面的热阴极-201821277891.5
- 郝广辉;邵文生;张珂;李泽鹏 - 中国电子科技集团公司第十二研究所
- 2018-08-09 - 2019-03-26 - H01J1/13
- 本实用新型公开一种具有三维结构表面的热阴极，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本实用新型提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。
- 一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法-201810900938.7
- 郝广辉;邵文生;张珂;李泽鹏 - 中国电子科技集团公司第十二研究所
- 2018-08-09 - 2018-12-21 - H01J1/13
- 本发明公开一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本发明还公开了该热阴极的制备方法。本发明提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。
- 基于低功函数复合纳米材料的光致热电子发射源及其制备方法-201710551522.4
- 戴庆;李驰;白冰;李振军;陈科 - 国家纳米科学中心
- 2017-07-07 - 2017-12-01 - H01J1/13
- 本发明提供了一种能够提高光致热电子发射源的电子发射效率的基于低功函数热电子发射材料薄膜和光热材料相结合的复合纳米材料光致热电子发射源器件及其制备方法，所述光致热电子发射源包括阴极电极，在阴极电极上制备的光电转换材料层，和覆盖在光热转换材料表面的低功函数热电子发射材料薄膜；将低功函数热电子发射材料薄膜和光热转换材料相结合，既利用了低功函数热电子发射材料薄膜优良的热电子发射性能，又利用了碳纳米管、贵金属纳米颗粒等材料优良的光热转换效率，两种材料通过间接加热的方式实现了两者的优势互补，克服了现有光致热电子源的所需入射光功率高、亮度低等技术缺点。
- 一种新型电子管-201510696467.9
- 周晓 - 周晓
- 2015-10-26 - 2016-02-17 - H01J1/13
- 本发明公开了一种新型电子管，包括电子管瓷壳，安装在电子管瓷壳中的阴极引脚和阳极引脚，所述阴极引脚和阳极引脚并列排布在电子管瓷壳中，所述阴极引脚和阳极引脚的个数为多个，均匀分布在电子管瓷壳的四周，且所述阴极引脚和阳极引脚通过螺纹与电子管瓷壳连接，所述电子管瓷壳呈正方体型状，并在电子管瓷壳上设置有散热孔。本发明结构简单、设计合理，通过设置有多个阴极引脚和阳极引脚，便于在其中一个引脚发生损坏时还能够使用该电子管，提高电子管的使用寿命。
- 一种具有保温效果的封闭式空心阴极触持极组件-201520129590.8
- 贾艳辉;郭宁;马林;杨威;高俊;唐福俊;孙运奎;徐金灵;陈娟娟 - 兰州空间技术物理研究所
- 2015-03-06 - 2015-08-12 - H01J1/13
- 一种具有保温效果的封闭式空心阴极触持极组件包括顶板、支撑管、热屏蔽层和支撑陶瓷组成。支撑陶瓷上部设有热屏蔽层，热屏蔽层前部设有顶板，热屏蔽层外围套有支撑管，支撑管的两端分别与支撑陶瓷、顶板相接触。顶板上设有中心小孔，中心小孔直径2mm。热屏蔽层为多层钽箔卷绕经压花滚加工成型，多层钽箔卷均采用厚度为0.05mm的钽皮。支撑管为壁厚0.3mm的不锈钢管。顶板为0.3mm厚的钽皮。支撑陶瓷4为氧化铝陶瓷。
- 电子枪及电子束装置-201180068539.5
- 安田洋 - 株式会社PARAM
- 2011-02-25 - 2013-11-13 - H01J1/13
- 本发明涉及一种电子枪及电子束装置。电子枪阴极(104）为柱状，且通过被加热而放射电子。设置有如下的保持件(103)，所述保持件(103)覆盖该电子枪阴极的底面及侧面并对电子枪阴极进行保持，并且由具有导电性且在被加热了的状态下难以与所述电子枪阴极发生反应的材料而构成。电子枪阴极(104）的顶端部露出且从保持件(103）突出，通过向顶端部施加电场而从所述顶端部朝向前方放射电子。
- 具有内芯的用于航天器自持空心阴极的发射体-201310215998.2
- 宁中喜;安秉健;于达仁;孟天航;黄超 - 哈尔滨工业大学
- 2013-06-03 - 2013-09-18 - H01J1/13
- 具有内芯的用于航天器自持空心阴极的发射体，它涉及一种自持空心阴极的发射体。该发射体解决发射体材料及阴极其他部件温度高、蒸发速率大导致阴极寿命短的问题。方案一：圆管内设有圆柱形芯体且二者同轴设置，圆管的底端面、圆柱形芯体的底端面和二个连接体的底端面在同一平面上，圆柱形芯体通过二个连接体与圆管的侧壁连接且三者制成一体；方案二：芯板沿径向设在圆管内且二者制成一体，芯板的底端面与圆管的底端面在同一平面上；方案三：圆管内设有圆台形芯体且二者同轴设置，圆管的底端面、圆台形芯体的大直径端面和二个连接体的底端面在同一平面上，圆台形芯体通过二个连接体与圆管的侧壁连接且三者制成一体。本发明用于航天器中。
- 电子源发生方法、电子发生器及其制造方法-201080068291.8
- 小泽隆二;田亚葵 - 北京天洋浦泰投资咨询有限公司
- 2010-11-19 - 2013-07-17 - H01J1/13
- 一种电子源发生电子的方法、电子发生器及其制造方法。电子发生器包括：金属电极(10)，其外表面覆盖有绝缘隔热层(11)；绝缘隔热层(11)上形成有使金属电极(10)部分裸露的孔(12)；孔(12)被惰性气体包围；金属电极(10)两端装配在支撑杆（15）上；金属电极（10）设置于电场中，当金属电极（10）被施加电压时，金属电极（10）裸露的部分对包围在孔（12）周围的惰性气体原子加热。该惰性气体原子在电场中被激发并电离，在孔（12）的周围形成混合有电子和正离子的电晕空间。提高了发光效率，降低了能耗。
- 用于微波源的高频阴极加热器电源-201080051321.4
- R·理查德森;迈克尔·布兰德;科林·贝内特 - E2V技术（英国）有限公司
- 2010-11-11 - 2012-07-18 - H01J1/13
- 一种用于微波源的高频阴极加热器电源，包括：SMPS逆变器(13)和隔离变压器(12)，该隔离变压器具有：被配置为由所述SMPS逆变器供电的初级绕组(122)，穿过所述初级绕组的初级组芯的监测绕组(123)，以及被配置为用于连接阴极加热器(11)的次级绕组(121)。电流监测器(141)被配置为监测所述初级绕组中的电流。信号处理模块(14，131，132)被配置为接收来自监测绕组(123)的第一输入信号和来自电流监测器(141)的第二输入信号，所述第一输入信号指示了所述阴极加热器(11)上的电压Vh，所述第二输入信号指示了阴极加热器上的电流。信号处理模块被配置为向SMPS逆变器输出控制信号，以根据从第一输入信号和第二输入信号确定的阴极加热器的监测电阻或供应至阴极加热器的监测功率，来对供应至所述阴极加热器的功率进行控制。
- 灯丝控制装置-201120274335.4
- 张丽丽 - 北京北广科技股份有限公司
- 2011-07-29 - 2012-04-11 - H01J1/13
- 本实用新型是有关于一种灯丝控制装置，包括：开关量输入接口，接收发射机控制系统传输来的灯丝控制命令；中央处理器，与开关量输入接口连接，输出灯丝控制命令对应的控制电压数字量；D/A转换器，与中央处理器连接，输出该控制电压数字量对应的模拟量电压；模拟量输出接口，与D/A转换器连接；模拟量输入接口，接收末级灯丝电压、末级灯丝电流和前极灯丝电压中至少一路模拟信号；运算放大器与模拟量输入接口连接，对接收到的信号进行放大；A/D转换器与运算放大电路和中央处理器连接，将运算放大器输出的信号转换为数字量信号，并向中央处理器输出。本实用新型提供的技术方案可以提高电子管灯丝电压控制的稳定性，从而提高了电子管寿命。
- 热发射电子源-200810066573.9
- 肖林;刘亮;刘长洪;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 2008-04-11 - 2009-10-14 - H01J1/13
- 一种热发射电子源包括一碳纳米管绞线，其中，该碳纳米管绞线包括多个相互缠绕的碳纳米管，该热发射电子源进一步包括低逸出功材料颗粒，该低逸出功材料颗粒至少部分填充于该碳纳米管绞线内。
- 管、尤其电子管-200810191049.4
- 奥利弗·霍耶尔曼 - 西门子公司
- 2008-12-22 - 2009-08-12 - H01J1/13
- 本发明涉及一种改进的管(100)、尤其电子管，以及涉及一种改进的、用于控制管的电极和/或加热以及用于确定管的使用寿命的系统。按照本发明的管(100)具有一个真空或充气区(110)，其中布设一个或多个电极(140、190)以及用于检测其中一个电极(140、190)温度的测量装置(150)。本发明的优点可认为是，可以用比较低的费用精确地确定管(100)的电极温度。从而一方面可以准确预报管的使用寿命；以及另一方面通过监测电极温度和相应地控制电极和/或电极加热器，可以将电极温度准确保持在期望值(额定值)。
- 电子束控制方法、电子束生成设备、使用该方法的设备，以及发射器-200680055690.4
- 藤田伸;穆罕默德·戈马蒂;多奎尔·威尔斯 - 株式会社岛津制作所;约克大学
- 2006-06-30 - 2009-08-12 - H01J1/13
- 本发明提供一种具有在电子束发射侧曲率半径为2.0μm的锥端的肖特基发射器。因为曲率半径大于等于1μm，电子枪的焦距可以比在曲率半径在0.5μm到不超过0.6μm的范围的传统实践中的更长。发现焦距粗略地和曲率半径成正比。因为角电流强度(每单位立体角的束流)和电子枪焦距的平方成正比，可以在发射器半径可实现的增加内把前者提高一个数量级。更高的角电流强度意味着来自电子枪更大的可用束流，而本发明使肖特基发射器能够用于要求微安量级的相对高的束流的应用中，例如微焦点X射线管、电子探针显微分析仪和电子束光刻系统。
- 热发射电子器件及其制备方法-200710125672.5
- 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 2007-12-29 - 2009-07-01 - H01J1/13
- 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为一碳纳米管薄膜结构。
- 热发射电子器件-200710125661.7
- 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 2007-12-29 - 2009-07-01 - H01J1/13
- 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
- 热电子源-200710125659.X
- 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 2007-12-29 - 2009-07-01 - H01J1/13
- 本发明涉及一种热电子源，该热电子源包括一基板、一热电子发射体、一第一电极和一第二电极，所述基板具有一凹槽，所述热电子发射体对应该凹槽并设置于所述基板表面，且至少部分通过所述基板的凹槽与所述基板间隔设置，所述第一电极和第二电极间隔设置，并与该热电子发射体电接触。
- 热发射电子器件-200710125660.2
- 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 2007-12-29 - 2009-07-01 - H01J1/13
- 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底，该绝缘基底具有多个等大且等间隔设置的凹槽；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于所述的每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接。其中，所述绝缘基底的每个凹槽分别对应于所述每个网格设置。
- 热发射电子源及其制备方法-200710125263.5
- 肖林;柳鹏;刘亮;姜开利;魏洋;潜力;范守善 - 北京富纳特创新科技有限公司;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 2007-12-19 - 2009-06-24 - H01J1/13
- 一种热发射电子源包括碳纳米管长线，其中，该热发射电子源进一步包括低逸出功材料颗粒，该低逸出功材料颗粒至少部分填充于碳纳米管长线内。一种热发射电子源的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜；提供一含有低逸出功材料或低逸出功材料前驱物的溶液，采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜，形成一碳纳米管长线；烘干该碳纳米管长线；激活烘干后的碳纳米管长线，得到热发射电子源。
- 热电子源-200710125114.9
- 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 2007-12-14 - 2009-06-17 - H01J1/13
- 本发明涉及一种热电子源，该热电子源包括一基板、至少两个电极和一热电子发射体，所述至少两个电极间隔设置，并与该热电子发射体电接触，所述热电子发射体为一薄膜结构，该热电子发射体至少部分与所述基板间隔设置。
- 专利分类
