[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，在具有SRAM存储单元的半导体器件中谋求其可靠性的提高。具有SRAM存储单元(MC)的半导体器件在两个负载晶体管(Lo1、Lo2)和两个驱动晶体管(Dr1、Dr2)的下部设置有作为背栅而发挥功能的电独立的四个半导体区域(LPW、LNW、RNW、RPW)，对负载晶体管(Lo1、Lo2)和驱动晶体管(Dr1、Dr2)的阈值电压进行控制。而且，设置于两个负载晶体管(Lo1、Lo2)下部的两个n型半导体区域(LNW、RNW)之间通过p型半导体区域DPW而电分离。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主面；半导体层，其经由隐埋绝缘膜而形成在所述半导体衬底的所述主面之上；第一n阱区域和第二n阱区域，其形成于所述半导体衬底的所述主面，沿所述主面的第一方向延伸；虚设p阱区域，其设置于所述第一n阱区域与所述第二n阱区域之间，沿所述第一方向延伸；第一p阱区域，其在所述虚设p阱区域的相反一侧与所述第一n阱区域相邻，沿所述第一方向延伸；第二p阱区域，其在所述虚设p阱区域的相反一侧与所述第二n阱区域相邻，沿所述第一方向延伸；第一位线和第二位线，其分别沿着所述第一方向延伸；多个存储单元，其分别与所述第一位线和所述第二位线连接；以及多个字线，其分别与所述多个存储单元连接，分别沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述多个存储单元分别包括：第一p沟道型晶体管，其设置于所述第一n阱区域之上的所述半导体层，其漏极与第一蓄积节点连接，其栅极与第二蓄积节点连接；第一n沟道型晶体管，其设置于所述第一p阱区域之上的所述半导体层，其漏极与所述第一蓄积节点连接，其栅极与所述第二蓄积节点连接；第二p沟道型晶体管，其设置于所述第二n阱区域之上的所述半导体层，其漏极与所述第二蓄积节点连接，其栅极与所述第一蓄积节点连接；第二n沟道型晶体管，其设置于所述第二p阱区域之上的所述半导体层，其漏极与所述第二蓄积节点连接，其栅极与所述第一蓄积节点连接；第三n沟道型晶体管，其设置于所述半导体层，将所述第一位线与所述第一蓄积节点之间电连接；以及第四n沟道型晶体管，其设置于所述半导体层，将所述第二位线与所述第二蓄积节点之间电连接。