[发明专利]对位标记、形成对位标记的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201510680813.4 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106597818B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 栾会倩 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对位标记，在光刻工艺中形成于介质层，介质层包括：位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金属层之间的金属层间介质层，对于第一介质层，与第一介质层上的对位标记区域对应位置的多晶硅层被去除，使得该对位标记区域形成的对位标记的蚀刻深度大于第一介质层的厚度；对于金属层间介质层，与金属层间介质层上的对位标记区域对应位置的金属层被去除，使得金属层间介质层上形成的对位标记的蚀刻深度大于该金属层间介质层的厚度。此外还提供一种在半导体工艺中形成对位标记的方法。上述对位标记及其在半导体工艺中形成对位标记的方法，可获得更深的对位标记，避免晶圆制作过程引入的对位误差。此外还提供一种在半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 对位 标记 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种对位标记，在光刻工艺中形成于介质层，用于在介质层形成接触孔或通孔时以及对金属层进行图形化时辅助光刻对位；所述介质层包括：位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金属层之间的金属层间介质层，其特征在于：所述多晶硅层位于晶圆衬底上，所述多晶硅层中设有接触孔；对于所述第一介质层，与所述第一介质层上的对位标记区域对应位置的多晶硅层被部分或全部去除，使得所述第一介质层上对位标记区域形成的对位标记的蚀刻深度大于所述第一介质层的厚度且小于或等于第一介质层和多晶硅层的厚度之和；对于所述金属层间介质层，与所述金属层间介质层上的对位标记区域对应位置的金属层被去除，使得相邻的两层介质层在对位标记区域接触；且所述金属层间介质层上形成的对位标记的蚀刻深度大于该金属层间介质层的厚度。
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