[发明专利]一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法有效
| 申请号： | 201510677412.3 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105296946A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 欧阳俊;张云香 | 申请（专利权）人： | 欧阳俊 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/04 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 曹丽 |
| 地址： | 250061 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法，包括基体、缓冲层、底电极、铌酸铋钙介电层、顶电极，所述基体为晶格常数与CBN的c轴晶格常数匹配的氧化物半导体单晶基片，所述底电极为导电氧化物薄膜。本发明的工艺流程和设备操作简单明了，所用原材料均为市场所售，成本较低，易于器件集成，适合于工业化推广及生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高度 取向 铌酸铋钙 薄膜 材料 体系 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系，包括基体、缓冲层、底电极、铌酸铋钙介电层、顶电极，其特征在于，所述基体为晶格常数与CBN的c轴晶格常数匹配的氧化物半导体单晶基片，所述底电极为导电氧化物薄膜。
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