[发明专利]一种印刷AM-QDLED及其制作方法在审
| 申请号： | 201510675548.0 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105244454A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 李耘;闫晓林 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种印刷AM-QDLED及其制作方法，其中，方法包括步骤：A、准备载体基板，并对载体基板进行清洗，然后采用Oxide-OTFT工艺制作TFT阵列；B、在TFT阵列上沉积ITO像素电极并进行刻蚀形成阳极图案，然后以旋涂工艺涂覆负性光刻胶，再采用分步曝光的方法制作像素界定层，形成倒梯形像素区域，在所述负性光刻胶中添加有无机纳米颗粒；C、在所述像素界定层结构的沟槽内制作发光层、电子注入层和电子传输层，最后蒸镀阴极层，所述发光层中的墨水由至少两种具有不同表面张力和沸点的溶剂组成；D、封装AM-QDLED器件。通过本发明制备的有机功能层，其表面平坦，能有效的避免由于表面粗糙带来的器件电荷集中、击穿和显示不均现象，提高了器件性能并保证了器件显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 印刷 am qdled 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种印刷AM‑QDLED的制作方法，其特征在于，包括步骤：A、准备载体基板，并对载体基板进行清洗，然后采用Oxide‑OTFT工艺制作TFT阵列；B、在TFT阵列上沉积ITO像素电极并进行刻蚀形成阳极图案，然后以旋涂工艺涂覆负性光刻胶，再采用分步曝光的方法制作像素界定层，形成倒梯形像素区域，在所述负性光刻胶中添加有无机纳米颗粒；C、在所述像素界定层结构的沟槽内制作发光层、电子注入层和电子传输层，最后蒸镀阴极层，所述发光层中的墨水由至少两种具有不同表面张力和沸点的溶剂组成；D、封装AM‑QDLED器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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