[发明专利]一种光学加工缺陷钝化工艺在审
| 申请号： | 201510661481.5 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105271791A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 石峰;戴一帆;隋婷婷;胡皓;彭小强 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C03C15/02 | 分类号： | C03C15/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种光学加工缺陷钝化工艺，包括以下步骤：(1)对单轴机研抛后的熔石英元件使用HF酸液进行浅酸洗，去除水解层，暴露出亚表面损伤，进行磁流变抛光使缺陷钝化；(2)磁流变抛光完成后，使用HF酸液对熔石英元件表面进行清洗，完成磁流变钝化缺陷的后处理；(3)对酸洗后的熔石英元件进行漂洗10分钟并用去离子水喷淋5分钟，去除残留酸液与反应生成物，最后使用过滤后的高压氮气吹干样件，完成整个工艺。本发明工艺流程简单、可操作性强、能满足强光光学系统对熔石英元件缺陷情况与面形精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 加工 缺陷 钝化 工艺 | ||
【主权项】：
一种光学加工缺陷钝化工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)对单轴机研抛后的熔石英元件使用HF酸液进行浅酸洗，去除水解层，暴露出亚表面损伤，进行磁流变抛光使缺陷钝化；(2)磁流变抛光完成后，使用HF酸液对熔石英元件表面进行清洗，完成磁流变钝化缺陷的后处理。
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