[发明专利]一种光学加工缺陷钝化工艺

权利要求书

1.一种光学加工缺陷钝化工艺，其特征在于：包括以下步骤：

(1)对单轴机研抛后的熔石英元件使用HF酸液进行浅酸洗，去除水解层，暴露出亚表面损伤，进行磁流变抛光使缺陷钝化；

(2)磁流变抛光完成后，使用HF酸液对熔石英元件表面进行清洗，完成磁流变钝化缺陷的后处理。

2.根据权利要求1所述的光学加工缺陷钝化工艺，其特征在于：步骤(1)中，对单轴机研抛后的熔石英元件使用HF进行浅酸洗，所述HF酸浓度为8％-12％，酸洗时间为2-5min，去除效率为10-20nm/min，去除深度为20-100nm。

3.根据权利要求2所述的光学加工缺陷钝化工艺，其特征在于：步骤(1)中，所述磁流变抛光的工艺参数为：磨料为粒径为0.2μm的CeO₂，抛光轮转速为2.5m/s，电流为7A，压深为0.2mm，磁流变抛光液的流量为160L/h，材料去除率为1.8×10e+7±10％(μm³/min)。

4.根据权利要求3所述的光学加工缺陷钝化工艺，其特征在于：所述步骤(2)中，所述HF酸液浓度为10％，温度为35℃，酸洗时间为3min。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的光学加工缺陷钝化工艺，其特征在于：还包括步骤(3)，对酸洗后的熔石英元件进行漂洗10分钟并用去离子水喷淋5分钟，去除残留酸液与反应生成物，最后使用过滤后的高压氮气吹干样件，完成整个工艺。

6.根据权利要求5所述的光学加工缺陷钝化工艺，其特征在于：整个工艺过程均在百级洁净环境中完成。