[发明专利]一种制备一氯甲基三氯硅烷的方法在审

专利信息
申请号: 201510659849.4 申请日: 2015-10-14
公开(公告)号: CN105198913A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 马庆宇;李建权;杨冰雪;关瑞芳 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C07F7/12 分类号: C07F7/12
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 张菡
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种制备一氯甲基三氯硅烷的方法,属于有机合成技术领域。本发明的制备方法,是待蒸发釜内CH3SiCl3回流稳定时向CH3SiCl3液面以下通氯气;对从蒸发釜出来的混合气体加热,然后使其进入反应区;对反应区进行白光或紫外光光照;从反应区出来的物料经冷凝,高沸点液态物料回流至加热区;当蒸发釜内物料温度达100-108℃时停止反应;反应结束后,关闭填料塔上方的阀门,直接对蒸发釜内的物料进行常压精馏,收集117-118.5℃馏分,即为一氯甲基三氯硅烷。本发明的制备方法,氯气通入至蒸发釜内CH3SiCl3的液面以下,能确保氯气与甲基三氯硅烷充分混合,形成混合均匀的混合气体;同时能有效控制Cl2与CH3SiCl3的摩尔比;从而提高一氯甲基三氯硅烷的转化率。
搜索关键词: 一种 制备 甲基 硅烷 方法
【主权项】:
一种一氯甲基三氯硅烷的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:将液态CH3SiCl3加入蒸发釜,用氮气或惰性气体将反应体系中的气体置换;蒸发釜加热至CH3SiCl3沸点以上,待体系回流稳定时向CH3SiCl3液面以下通氯气;对从蒸发釜出来的混合气体在加热区进行加热,然后使其进入反应区,反应区的温度控制在60‑80℃;对反应区进行白光或紫外光光照;从反应区出来的物料经冷凝,液态物料回流至加热区;当蒸发釜内物料温度达100‑108℃时停止反应;反应结束后,收集117‑118.5℃馏分,即为一氯甲基三氯硅烷;其中,蒸发釜和加热区装置均不透光,反应区透光;所用Cl2与CH3SiCl3的摩尔比为1:15~50。
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