[发明专利]观察铜通孔结构的方法在审
| 申请号： | 201510659194.0 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105206548A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 郭伟;仝金雨;刘君芳;李桂花;谢渊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 朱俊跃 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种观察铜通孔结构的方法，通过制作一定大小尺寸并包含特定尺寸通孔的硅基载体作为TEM样品承载装置，并将需要观察的铜通孔结构的TEM样品放置于硅基载体的通孔之上并予以固定，可以对铜通孔结构的TEM样品进行多次拍摄，第一次拍摄可以得到铜通孔的整体形貌，去除铜后再次进行拍摄可以去除铜对阻挡层拍摄的干扰，得到清晰的阻挡层图片，从而可以清晰的观察到铜通孔结构的形貌。且该方法也适用于TEM样品的化学染色剂最佳时间的探索实验。 | ||
| 搜索关键词： | 观察 铜通孔 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种观察铜通孔结构的方法，其特征在于，所述铜通孔结构包括铜通孔和设置于所述铜通孔侧壁的阻挡层，所述方法包括如下步骤：提供所述铜通孔结构的TEM样品；提供一硅基载体，所述硅基载体中设置有具有预定尺寸的通孔；将所述TEM样品放置于所述通孔上并予以固定；将固定有所述TEM样品的所述硅基载体放入透射电镜机台中观察所述铜通孔的形貌；继续将固定有所述TEM样品的所硅基载体放入硝酸中去除铜后放入透射电镜机台中观察所述阻挡层的形貌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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