[发明专利]观察铜通孔结构的方法在审
| 申请号： | 201510659194.0 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105206548A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 郭伟;仝金雨;刘君芳;李桂花;谢渊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 朱俊跃 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 观察 铜通孔 结构 方法 | ||
1.一种观察铜通孔结构的方法，其特征在于，所述铜通孔结构包括铜通孔和设置于所述铜通孔侧壁的阻挡层，所述方法包括如下步骤：
提供所述铜通孔结构的TEM样品；
提供一硅基载体，所述硅基载体中设置有具有预定尺寸的通孔；
将所述TEM样品放置于所述通孔上并予以固定；
将固定有所述TEM样品的所述硅基载体放入透射电镜机台中观察所述铜通孔的形貌；
继续将固定有所述TEM样品的所硅基载体放入硝酸中去除铜后放入透射电镜机台中观察所述阻挡层的形貌。
2.如权利要求1所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，形成所述硅基载体的方法包括如下步骤：
提供一芯片载体，所述芯片载体包括硅衬底和位于所述硅衬底之上的第一金属层；
于所述芯片载体上制备孔洞；
继续对所述芯片载体进行抛光并对所述孔洞进行处理以得到具有所述预定尺寸的通孔，形成所述硅基载体。
3.如权利要求2所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，通过激光器于所述芯片载体上制备所述孔洞。
4.如权利要求2所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，所述抛光为化学抛光。
5.如权利要求2所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，采用聚焦离子束对所述孔洞进行处理得到具有所述预定尺寸的通孔。
6.如权利要求1所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为钽或者氮化钽。
7.如权利要求1所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，根据所述TEM样品的尺寸确定所述通孔的尺寸。
8.如权利要求1所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，所述将所述TEM样品放置于所述通孔上并予以固定的步骤具体为：
通过拾取系统将所述TEM样品放置于所述通孔上；
将所述TEM样品固定于所述硅基载体上。
9.如权利要求1所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，通过金属将所述TEM样品固定于所述硅基载体上。
10.如权利要求1所述的观察铜通孔结构的方法，其特征在于，所述金属为铂金。
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