[发明专利]鳍式场效应管的形成方法在审
| 申请号： | 201510657265.3 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106571335A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括提供衬底以及位于衬底表面的介质膜；在NMOS区域的介质膜内形成第一通孔；在PMOS区域的介质膜内形成第二通孔；形成位于第一通孔底部表面的第一防穿通层；形成所述第一防穿通层顶部表面的第一本征层，且第一本征层填充满第一通孔；形成位于第二通孔底部表面的第二防穿通层；形成位于第二防穿通层顶部表面的第二本征层，且第二本征层填充满第二通孔；回刻蚀去除部分厚度的介质膜形成介质层，且介质层暴露出第一本征层侧壁表面以及第二本征层侧壁表面。本发明改善了鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及位于衬底表面的介质膜，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域；在所述NMOS区域的介质膜内形成第一通孔，所述第一通孔暴露出NMOS区域衬底表面；在所述PMOS区域的介质膜内形成第二通孔，所述第二通孔暴露出PMOS区域衬底表面；形成位于所述第一通孔底部表面的第一防穿通层，所述第一防穿通层内掺杂有第一防穿通离子；形成位于所述第一防穿通层顶部表面的第一本征层，且所述第一本征层填充满所述第一通孔；形成位于所述第二通孔底部表面的第二防穿通层，所述第二防穿通层内掺杂有第二防穿通离子；形成位于所述第二防穿通层顶部表面的第二本征层，且所述第二本征层填充满所述第二通孔；回刻蚀去除部分厚度的介质膜形成介质层，且所述介质层暴露出第一本征层侧壁表面以及第二本征层侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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