[发明专利]应用于低温磁制冷中的R2Cu2O5氧化物材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510655820.9 申请日: 2015-10-10
公开(公告)号: CN105347797A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 李领伟 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/624
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 梁焱
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 应用于低温磁制冷中的R2Cu2O5氧化物材料及其制备方法,R为Ho或Dy;R2Cu2O5的氧化物材料具有正交型晶体结构,属于Pnma空间群;Ho2Cu2O5氧化物材料,在0T~5T的磁场变化下,其等温磁熵变为8.5J/kgK~10J/kgK;在0T~7T的磁场变化下,等温磁熵变为11.5J/kgK~13.5J/kgK;Dy2Cu2O5氧化物材料在0T~5T的磁场变化下,等温磁熵变为7J/kgK~8J/kgK;在0T~7T的磁场变化下,等温磁熵变为10.5J/kgK~12.5J/kgK。制备方法为:采用溶胶凝胶法制备:(1)将氧化钬或氧化镝和硝酸铜混合后,与稀硝酸形成溶胶;(2)加入乙醇或去离子水溶解的柠檬酸,蒸干水分形成凝胶;(3)退火后形成烧结物;(4)压片成型,马弗炉烧结后冷却得成品。本发明制备的R2Cu2O5氧化物材料应用于低温区磁制冷领域。制备方法工艺简单、适用于工业化。
搜索关键词: 应用于 低温 制冷 中的 sub cu 氧化物 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种应用于低温磁制冷中的R2Cu2O5氧化物材料,R为Ho或Dy,其特征在于,所述的R2Cu2O5的氧化物材料具有正交型晶体结构,属于Pnma空间群;Ho2Cu2O5氧化物材料,在0T~5T的磁场变化下,等温磁熵变为8.5J/kgK~10J/kgK,在0T~7T的磁场变化下,等温磁熵变为11.5J/kgK~13.5J/kgK;Dy2Cu2O5氧化物材料在0T~5T的磁场变化下,等温磁熵变为7J/kgK~8J/kgK,在0T~7T的磁场变化下,等温磁熵变为10.5J/kgK~12.5J/kgK。
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