[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
申请号: | 201510631671.2 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN106558493B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 李勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/06;H01L21/76 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供包括第一区域和第二区域的衬底;在衬底表面形成金刚石膜;在第一区域金刚石膜内形成第一通孔,在第二区域金刚石膜内形成第二通孔;在第二通孔底部表面形成第一绝缘层;形成位于第一通孔底部表面的第一外延层以及位于第一外延层顶部表面的第一本征层,第一外延层内含有第一防穿通离子;在第一本征层顶部表面形成第二绝缘层;去除第一绝缘层;形成位于第二通孔底部表面的第二外延层以及位于第二外延层顶部表面的第二本征层,第二外延层内含有第二防穿通离子;去除第二绝缘层;回刻蚀去除部分厚度的金刚石膜形成金刚石层,暴露出第一本征层侧壁和第二本征层侧壁。本发明改善了鳍式场效应管的电学性能。 | ||
搜索关键词: | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述衬底表面形成金刚石膜;刻蚀所述金刚石膜,在所述第一区域金刚石膜内形成第一通孔,在所述第二区域金刚石膜内形成第二通孔;在所述第二通孔底部表面形成第一绝缘层;在形成所述第一绝缘层之后,采用外延工艺,形成位于所述第一通孔底部表面的第一外延层以及位于第一外延层顶部表面的第一本征层,其中,所述第一外延层内含有第一防穿通离子,所述第一本征层填充满所述第一通孔;在所述第一本征层顶部表面形成第二绝缘层;去除所述第一绝缘层;在形成所述第二绝缘层之后,采用外延工艺,形成位于所述第二通孔底部表面的第二外延层以及位于第二外延层顶部表面的第二本征层,其中,所述第二外延层内含有第二防穿通离子,所述第二本征层填充满所述第二通孔;去除所述第二绝缘层;回刻蚀去除部分厚度的金刚石膜形成金刚石层,所述金刚石层暴露出第一本征层侧壁表面和第二本征层侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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