[发明专利]光固化只读存储器及其写入方法和数据固化方法有效
| 申请号： | 201510624930.9 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105206747B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张霞昌;曹卓;郭小军;冯林润;王若琳 | 申请（专利权）人： | 常州印刷电子产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;G11C17/08 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种光写入只读存储器及其写入方法和数据固化方法，其中，光写入只读存储器包括衬底；位于衬底表面的栅极；位于衬底表面且覆盖所述栅极的掺杂有离子化合物的可光交联绝缘层；位于绝缘层表面的缓冲层；位于缓冲层表面的半导体层；位于半导体层表面的源极和漏极。本发明能提供集成度高，数据保持好的光写入只读存储器及其写入方法和数据固化方法。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 只读存储器 及其 方法 数据 固化 | ||
【主权项】：
一种光固化只读存储器，其特征在于，包括，衬底；位于衬底表面的栅极；位于衬底表面且覆盖所述栅极的掺杂有离子化合物的可光交联绝缘层；位于绝缘层表面的缓冲层；位于缓冲层表面的半导体层；位于半导体层表面的源极和漏极；写入电压施加在所述栅极与所述源极和/或所述漏极之间，造成掺杂离子的移动从而产生极化，以写入数据；完成所述数据写入后将所述绝缘层紫外固化，使得极化得以保持。
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