[发明专利]非易失性存储装置与用于其的写入电路及方法有效
| 申请号： | 201510624731.8 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105976864B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 小川晓 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露了非易失性存储装置与用于其的写入电路及方法。该用于非易失性存储装置的写入电路，所述非易失性存储装置具备控制电路，该控制电路在进行数据的写入时，判断每个存储单元的编程结束，该写入电路包括：第1开关元件，基于由保存对应的存储单元的编程校验状态的存储元件所保存的数据而受到通断控制；判断控制用MOS晶体管，进行编程校验的判断控制；以及第2开关元件，基于判断控制信号，将控制判断控制用MOS晶体管的电压施加至其栅极，在进行编程校验之前，将判断控制用MOS晶体管的栅极电压设定成为将判断控制用MOS晶体管的阈值电压加上预设控制电压值所得的电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 用于 写入 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于非易失性存储装置的写入电路，所述非易失性存储装置具备控制电路，所述控制电路被设置在向存储单元写入数据时暂时保存页面缓冲器的数据，在向所述存储单元写入数据时判断每个存储单元的编程是否结束，所述用于非易失性存储装置的写入电路的特征在于，所述控制电路包括：第1开关元件，设置在输出编程结束判断信号的一对信号线之间，基于存储元件中保存的数据来进行通断控制，所述存储元件保存对应的存储单元的编程校验的状态；判断控制用金属氧化物半导体晶体管，设置在所述一对信号线之间，进行编程校验的判断控制；以及第2开关元件，所述第2开关元件是连接在所述判断控制用金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极或栅极与漏极之间的第2开关元件，基于预设判断控制信号，将控制所述判断控制用金属氧化物半导体晶体管的电压施加至所述判断控制用金属氧化物半导体晶体管的栅极，所述控制电路在进行所述编程校验之前，将所述判断控制用金属氧化物半导体晶体管的栅极电压设定成为将所述金属氧化物半导体晶体管的阈值电压加上预设控制电压值所得的电压值。
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