[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510623125.4 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558491A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成栅极结构；同时执行第一LDD注入和氮注入，以在半导体衬底中形成未激活的第一LDD区；在栅极结构的两侧形成紧靠栅极结构的偏移侧墙；同时执行第二LDD注入和碳注入，以在半导体衬底中形成未激活的第二LDD区；在偏移侧墙的外侧形成侧墙，执行源/漏区注入并退火，以在半导体衬底中形成源/漏区。根据本发明，可以省去实施袋状区离子注入的步骤，不会引发栅极耗尽区的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；同时执行第一LDD注入和氮注入，以在所述半导体衬底中形成未激活的第一LDD区；在所述栅极结构的两侧形成紧靠所述栅极结构的偏移侧墙；同时执行第二LDD注入和碳注入，以在所述半导体衬底中形成未激活的第二LDD区；在所述偏移侧墙的外侧形成侧墙，执行源/漏区注入并退火，以在所述半导体衬底中形成源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
