[发明专利]制备栅介质层的方法及半导体器件结构在审
| 申请号： | 201510618401.8 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105280487A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 乔磊;王孝进;聂广宇;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制备领域，尤其涉及制备栅介质层的方法及半导体器件结构。通过在同一机台中先后进行氧化硅和氧化铪的制备，且均是使用臭氧气体进行制备，两个制程在一个方案中进行完成，减少了流程步骤的繁琐，且机台均是使用氧化铪生成机台，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 介质 方法 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
一种制备栅介质层的方法，其特征在于，包括以下步骤：在氧化铪生成腔室中通入臭氧于硅衬底上形成氧化硅薄膜；于所述氧化铪生成腔室中通入臭氧和四甲胺基铪，以于所述氧化硅薄膜之上形成氧化铪薄膜；以及基于所述氧化铪薄膜制备栅极结构，以将所述氧化铪薄膜作为所述栅极结构的栅介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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