[发明专利]过电压保护设备及方法有效
| 申请号： | 201510615803.2 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105470250B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | E·J·考尼;J·特沃米伊;S·P·惠斯顿;D·J·克拉克;D·P·麦考利夫;W·A·拉尼;S·D·赫弗南;B·A·莫阿尼;B·M·斯威尼;P·M·迈克古尼斯 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/735 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供展现一纳秒或更少的时间的打开时间的保护设备。该设备为集成电路提供增强保护，以防静电放电事件。这依次降低在使用中的设备故障的风险。保护设备可包括连接在被保护的节点和放电路径之间的双极晶体管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 过电压 保护 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种过电压保护设备，包括连接在被保护的节点和放电路径之间的双极晶体管结构，其中，所述双极型晶体管结构包括基极区、集电极区和发射极区，其中，所述集电极区和所述发射极区彼此相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
