[发明专利]一种集成半导体激光器的制备方法在审
| 申请号： | 201510612638.5 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105098595A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 杨成奥;张宇;廖永平;徐应强;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的等腰梯形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀所述P型上接触层和P型上限制层形成的脊形波导结构；金属光栅区，其位于所述主振荡区后部，为形成在所述上波导层表面的周期性光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导结构的两侧，与所述脊形波导结构倾斜设置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，其包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的等腰梯形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀所述P型上接触层和P型上限制层形成的脊形波导结构；金属光栅区，其位于所述主振荡区后部，为形成在所述上波导层表面的周期型布拉格金属光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导结构的两侧，与所述脊形波导结构倾斜设置。
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