[发明专利]一种LaBSiO5粉体的制备方法在审
| 申请号： | 201510591982.0 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105236438A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 李凌云;孙李珍;于岩;杨志锋;张晓斌 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C01B35/08 | 分类号： | C01B35/08 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LaBSiO5粉体的制备方法，包括以下步骤：以分析纯级别的La2O3，H3BO3和SiO2(白色粉末)为原料，1~4%摩尔浓度的NaF作为助熔剂，在1000℃下经过二次烧结得到纯的LaBSiO5粉体。该方法引入NaF作为助溶剂，对LaBSiO5晶体的稳定生长机制的研究至关重要，纯相LaBSiO5粉体的合成所需烧结温度较现有的固相合成技术低，在空气气氛中常压状态下就可完成，不需要保护气氛，制备条件不苛刻且产物质量稳定，重复性强，适合于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 labsio sub 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LaBSiO5粉体的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：（1）按摩尔比计La2O3：H3BO3：SiO2：NaF=0.5：1~1.05：1：0.01~0.04，称取La2O3、H3BO3、SiO2和NaF固体粉末；（2）研磨，混合均匀，压成块状；（3）一次烧结：以3~10℃/min.的升温速率从室温升至1000℃，保温3~7小时，随炉冷却至室温，研磨，压成块状；（4）二次烧结：以3~10℃/min.的升温速率从室温升至1000℃，保温3~7小时，随炉冷却至室温，研磨，得到LaBSiO5粉体。
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