[发明专利]一种在光刻掩膜版表面制备PECVD沉积氮化硅保护膜的方法

摘要

发明属于集成电路技术领域，涉及一种在光刻掩膜版表面制备PECVD沉积氮化硅保护膜的方法。本发明采用PECVD法在光刻掩膜版沉积氮化硅的工艺温度低，沉积速度快，沉积薄膜均匀，薄膜的缺陷密度较低，可以大大降低掩膜版受损程度，延长使用寿命；而且在接触式曝光过程中，带氮化硅薄膜保护的光刻掩膜版与硅片表面的耐磨性与不带氮化硅保护的掩膜版的使用情况相比较，使用寿命可明显延长2倍以上。

主权项

一种在光刻掩膜版表面制备PECVD沉积氮化硅保护膜的方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：（1）准备待制作的光刻掩膜版及抛光硅片；（2）对光刻掩膜版及抛光硅片表面进行清洗；（3）将清洗后的光刻掩膜版及抛光硅片置入烘箱内烘烤5‑15min，烘烤温度70‑80℃；（4）向PECVD腔体内放入烘烤完的光刻掩膜版及干净抛光硅片，要求光刻掩膜版正面即铬面朝上，抛光硅片正面即抛光面朝上放置；（5）将PECVD腔体抽真空，真空度为2.8×10^‑4‑3.2×10^‑4Pa；（6）将PECVD腔体加热到370‑390℃范围内，通入反应气体SiH₄和NH₃，SiH₄和NH₃的通入流量均为30ml/min；（7）控制反应气体通入量，使PECVD腔体内的气压保持在25‑40Pa，打开射频电源，进行等离子体增强化学气相沉积反应，反应时间为8‑12min；（8）反应完毕后，将PECVD腔体持续抽真空，直至PECVD腔体内温度达到150‑170℃；（9）打开PECVD腔体，取出沉积有氮化硅保护膜的光刻掩膜版及抛光硅片，表面呈淡蓝色；（10）测量抛光硅片上的氮化硅参数值作为光刻掩膜版上的氮化硅的参数值；（11）沉积有氮化硅保护膜的光刻掩膜版制作完成。