[发明专利]半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201510575485.1 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN106024628B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的布局存储在非暂时性计算机可读介质上。该布局包括在第一方向上延伸的有源区、在第二方向上延伸并且横跨有源区的栅电极以及在第二方向上延伸的伪栅极。伪栅极邻近栅电极。伪栅极是介电伪栅极。本发明的实施例还涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 布局 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：有源区，在第一方向上延伸；栅电极，在第二方向上延伸并且横跨所述有源区；以及伪栅极，在所述第二方向上延伸，所述伪栅极邻近所述栅电极，其中，所述伪栅极是介电伪栅极；另外的伪栅极，在所述第二方向上延伸并且邻近所述伪栅极，其中，所述伪栅极位于所述另外的伪栅极和所述栅电极之间，其中，所述有源区没有终止于所述另外的伪栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510575485.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：桥梁检测装置及其检测方法
- 下一篇：一种模拟井喷的井口装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
