[发明专利]具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上依次生长非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；在P型GaN层表面形成ITO透明导电层；在ITO透明导电层上蚀刻出第一开口及尺寸渐变的第二开口；在ITO透明导电层表面形成金属电极层；提供键合衬底，将键合衬底键合于金属电极层表面；依次去除生长衬底及非掺杂GaN层，并形成切割道；在N型GaN层表面形成N电极。本发明通过在ITO透明导电层上与N电极垂直投影位置蚀刻出第一开口，在第一开口外围蚀刻出自所述第一开口向外尺寸渐变的第二开口，形成良好的电流阻挡结构，缓解N电极下方电流的拥挤，提高电流的均匀分布，从而提高垂直结构LED的发光性能。

主权项

一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供生长衬底，在所述生长衬底上依次生长非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；在所述P型GaN层表面形成ITO透明导电层；在所述ITO透明导电层上蚀刻出第一开口及第二开口；所述第一开口与后续要形成的N电极在所述ITO透明导电层上的垂直投影位置相对应，所述第二开口位于所述第一开口外围自所述第一开口向外依次排布的不同分布区域内，且相同分布区域内的所述第二开口的尺寸相同，自所述第一开口向外不同分布区域内所述第二开口的尺寸渐变；所述第一开口及所述第二开口贯穿所述ITO透明导电层以暴露出所述P型GaN层；在所述ITO透明导电层表面形成金属电极层，所述金属电极层填充进所述第一开口及所述第二开口，并与所述第一开口及所述第二开口暴露出的所述P型GaN层接触；所述ITO透明导电层及所述金属电极层共同构成P电极；提供键合衬底，将所述键合衬底键合于所述金属电极层表面；依次去除所述生长衬底及所述非掺杂GaN层，并形成自上至下贯穿所述N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层的切割道；在所述N型GaN层表面形成N电极。