[发明专利]提拉法单晶硅生长流场控制技术在审
| 申请号： | 201510573377.0 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105239154A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明技术是一种提拉法单晶硅生长流场控制技术。主加热器形成一个从熔体外侧向中心的自然对流Gr，通过坩埚的旋转，将使坩埚外侧熔体往中心的流动Tc。晶体的旋转，形成一个强迫对流Re，在坩埚的底部加一个底部加热器，加热器为双螺旋渐开线形结构，随坩埚同步上下移动。底部加热器使坩埚的底部的温度高于四周的温度，形成一个从中心向上的对流Gz。通过控制 |
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| 搜索关键词： | 提拉法 单晶硅 生长 控制 技术 | ||
【主权项】：
一种提拉法单晶硅生长流场控制技术，主加热器形成一个从熔体外侧向中心的自然对流Gr，通过坩埚的旋转，将使坩埚外侧熔体往中心的流动Tc；晶体的旋转，形成一个强迫对流Re，在坩埚的底部加一个底部加热器，使坩埚的底部的温度高于四周的温度，形成一个从中心向上的对流Gz；通过控制![]()
将熔体分成内外两个流场区域，交汇在晶体与坩埚壁的中间区域，最佳点位置为![]()
，从而控制晶体生长界面处的温度分布和熔体中氧分布，再通过提拉速度，进而控制晶体中的元素均匀性。
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