[发明专利]一种形成鳍的方法及结构有效
| 申请号： | 201510572091.0 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106531631B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;殷华湘;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 洪余节;党丽 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成鳍的方法及结构，包括：提供衬底，所述衬底上形成有具有开口的第一掩膜层；形成第二掩膜层，位于开口侧壁的第二掩膜层的厚度等于预设的鳍的宽度；填充开口以形成平整表面；去除开口侧壁处的第二掩膜层，以暴露所述衬底；进行外延获得鳍。本发明提供的方法形成的鳍是通过外延实现，无需进行刻蚀工艺，因此不会额外产生大量缺陷；并且，该方法是在形成STI之后才形成鳍，形成的鳍不会经过STI的长时高温过程，因此不会因长时高温影响鳍的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有具有开口的第一掩膜层；形成第二掩膜层，位于开口侧壁的第二掩膜层的厚度等于预设的鳍的宽度；填充开口以形成平整表面；去除开口侧壁处的第二掩膜层，以暴露所述衬底；进行外延获得鳍。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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