[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法有效

专利信息
申请号: 201510570320.5 申请日: 2015-09-09
公开(公告)号: CN105070765B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 齐峰;王珂 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 鞠永善
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法,属于显示技术领域。薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅绝缘层和栅极;有源层和漏极位于同一层,有源层的材料包括金属氧化物,漏极的材料包括导体化的金属氧化物;源极与栅绝缘层位于有源层的同一侧,且源极和栅绝缘层与有源层的同一侧面相接触,栅绝缘层位于源极与漏极之间,栅绝缘层的厚度大于源极的厚度,源极的材料包括金属;栅极与栅绝缘层远离有源层的一面相接触。本发明的薄膜晶体管的漏极的材料包括导体化的金属氧化物,源极的材料包括金属,源极和数据线是源极层通过构图工艺形成的,所以数据线的材料与源极的材料均包括金属,解决了信号延迟的问题。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 显示装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅绝缘层和栅极;所述有源层和所述漏极位于同一层,所述有源层的材料包括金属氧化物,所述漏极的材料包括导体化的金属氧化物;所述源极与所述栅绝缘层位于所述有源层的同一侧,且所述源极和所述栅绝缘层与所述有源层的同一侧面相接触,所述栅绝缘层位于所述源极与所述漏极之间,以及,所述栅绝缘层位于所述栅极与所述有源层之间,所述栅绝缘层的厚度大于所述源极的厚度,所述栅极通过所述栅绝缘层与所述源极绝缘,所述源极的材料包括金属,所述源极和数据线由源极层通过一次构图工艺形成;所述栅极与所述栅绝缘层远离所述有源层的一面相接触。
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