[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法有效
申请号: | 201510570320.5 | 申请日: | 2015-09-09 |
公开(公告)号: | CN105070765B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 齐峰;王珂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法,属于显示技术领域。薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅绝缘层和栅极;有源层和漏极位于同一层,有源层的材料包括金属氧化物,漏极的材料包括导体化的金属氧化物;源极与栅绝缘层位于有源层的同一侧,且源极和栅绝缘层与有源层的同一侧面相接触,栅绝缘层位于源极与漏极之间,栅绝缘层的厚度大于源极的厚度,源极的材料包括金属;栅极与栅绝缘层远离有源层的一面相接触。本发明的薄膜晶体管的漏极的材料包括导体化的金属氧化物,源极的材料包括金属,源极和数据线是源极层通过构图工艺形成的,所以数据线的材料与源极的材料均包括金属,解决了信号延迟的问题。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅绝缘层和栅极;所述有源层和所述漏极位于同一层,所述有源层的材料包括金属氧化物,所述漏极的材料包括导体化的金属氧化物;所述源极与所述栅绝缘层位于所述有源层的同一侧,且所述源极和所述栅绝缘层与所述有源层的同一侧面相接触,所述栅绝缘层位于所述源极与所述漏极之间,以及,所述栅绝缘层位于所述栅极与所述有源层之间,所述栅绝缘层的厚度大于所述源极的厚度,所述栅极通过所述栅绝缘层与所述源极绝缘,所述源极的材料包括金属,所述源极和数据线由源极层通过一次构图工艺形成;所述栅极与所述栅绝缘层远离所述有源层的一面相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510570320.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种无冲力喷水器
- 下一篇:一种绳索式多功能种植架
- 同类专利
- 专利分类