[发明专利]数据读出电路有效
| 申请号： | 201510568658.7 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105405466B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 见谷真;渡边考太郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在读出中被施加高电压也不会误写入数据且正常读出数据的数据读出电路。该结构包括：非易失性存储元件；具备输入反相器和输出反相器和MOS晶体管的闩锁电路；在非易失性存储元件与闩锁电路之间连接的第一MOS晶体管；在闩锁电路与第一电源端子之间连接的第二MOS晶体管；用于使第一MOS晶体管的栅极偏置的第一偏置电路；以及用于使闩锁电路的MOS晶体管偏置的第二偏置电路，在读出非易失性存储元件的数据时，第一偏置电路和第二偏置电路输出既定的偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种数据读出电路，其特征在于，包括：非易失性存储元件；闩锁电路，具备输入反相器、输出反相器和在所述输出反相器与第一电源端子之间连接的第三MOS晶体管，保持所述非易失性存储元件的数据；第一MOS晶体管，在所述非易失性存储元件与所述闩锁电路之间连接；第二MOS晶体管，在所述闩锁电路与第一电源端子之间连接；第一偏置电路，用于使所述第一MOS晶体管的栅极偏置；以及第二偏置电路，用于使所述闩锁电路的所述第三MOS晶体管偏置，在读出所述非易失性存储元件的数据时，所述第一偏置电路和所述第二偏置电路输出既定的偏置电压。
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