[发明专利]用于TFT平板显示器的超高纯铝板细晶靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201510563701.0 | 申请日： | 2015-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN105154799A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 曹兴民;庄志杰 | 申请（专利权）人： | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/04 | 分类号： | C22F1/04;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 郭春远 |
| 地址： | 215214 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 用于TFT平板显示器的超高纯铝板细晶靶材的制备方法,通过轧制工艺和退火工艺，控制变形量和温度，细化晶粒，改变挤压产生的纤维状晶粒组织，易于等轴化，使得晶粒尺寸达到200μm甚至100μm以下，且粒度均匀，且该靶材在200℃工作时组织稳定，从而满足了大尺寸TFT平板显示器靶材的应用条件。降低烧结能耗,在提高靶材以及TFT性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低，适合规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 tft 平板 显示器 高纯 铝板细晶靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于TFT平板显示器的超高纯铝板细晶靶材的制备方法,其特征在于，包含以下步骤：步骤一：选取纯度大于99.999wt％的高纯铝铸锭为原材料，轧制之前对其表面进行简单的处理，保证表面光洁；步骤二：将高纯铝板材放至可逆热轧机中进行轧制处理，轧制前加热温度范围为300℃～450℃，进行8～12道次轧制过程，控制高纯铝板材总变形量为90％以上；步骤三：使用校平机校平板材，保证其平整度；步骤四：在200℃～300℃条件下对校平后的高纯铝板材进行退火处理,退火时间2～4小时；步骤五：通过表面铣削加工后，平均粒度在100～200μm，获得高纯铝板靶材。
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