[发明专利]一种带有P型柱体的超快速高压SOI LIGBT器件在审
| 申请号： | 201510563513.8 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105226088A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;王柳敏;王珩宇;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 杨斌 |
| 地址： | 310013 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，公开了一种带有P型柱体的阳极N+\P+交叠短路的超快速高压SOI LIGBT器件，包括衬底、阳极P+区、阳极N+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、阴极P+区、阴极P型体区、P型沟道区、发射极N+区、阴极金属、多晶硅栅、LIGBT器件栅氧化层、多晶硅栅金属和第一P型柱体区、第二P型柱体区。本发明的超快速高压SOI LIGBT的有益效果是、关断速度的加快、负阻现象NDR（Negative Differential Resistance）的消除、正向导通压降的减小以及关断时器件耐压的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 柱体 快速 高压 soi ligbt 器件 | ||
【主权项】：
一种带有P型柱体的超快速高压SOI LIGBT器件，其特征在于所述器件包括衬底（1）、阳极P+区（5）、阳极N+区（4）、阳极金属（12）、N型漂移区（3）、场氧化层（16）、阴极P+区（8）、阴极P型体区（7）、P型沟道区（6）、发射极N+区（9）、阴极金属（11）、多晶硅栅（14）、LIGBT器件栅氧化层（10）、多晶硅栅金属（13）和第一P型柱体区（17）、第二P型柱体区（18），阳极金属（12）与阳极P+区（5）和阳极N+区（4）连接，阳极P+区（5）与阳极N+区（4）交叠短路排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510563513.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
