[发明专利]硅通孔的形成方法

摘要

本发明提供一种硅通孔的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成通孔；在所述通孔中填充金属层；进行第一平坦化处理，去除衬底上方的金属层，保留通孔中的金属层；在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层用于提供压应力；对所述金属层进行再结晶处理；进行第二平坦化处理，去除衬底上方的应力层。其中，在第一平坦化处理之后，对所述金属层进行再结晶处理之前，在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层能够提供压应力，提高金属原子向金属层表面扩散所需要的能量，从而降低金属原子向金属层表面扩散的扩散率，进而降低金属层内的空洞率。

主权项

1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成通孔；/n在所述通孔中填充金属层；/n进行第一平坦化处理，去除衬底上方的金属层保留通孔中的金属层；/n在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层用于提供压应力；/n对所述金属层进行再结晶处理，所述再结晶处理包括：依次进行的加热、保温和冷却过程，所述加热过程的入炉温度或所述冷却过程的出炉温度小于所述保温过程的温度；/n进行第二平坦化处理，去除衬底上方的应力层；/n其中，对所述金属层进行再结晶处理的步骤包括，当高温炉升温至275～285摄氏度时入炉，入炉后升温至405～415摄氏度并保温17～33分钟，再随炉冷却到275～285摄氏度后取出；/n所述第一平坦化处理和第二平坦化处理为化学机械抛光；/n所述第二平坦化处理的步骤还包括对金属层进行平坦化；/n所述化学机械抛光的过程所使用的磨料包括氧化铈和氢氧化铵；/n通过氧化铈对应力层进行抛光，去除所述应力层；/n通过氢氧化铵对金属层进行平坦化。/n