[发明专利]薄膜封装方法及有机发光装置

摘要

本发明涉及一种薄膜封装方法及有机发光装置，其包括如下步骤在TFT基板上形成OLED层；在OLED层上形成第一无机封装层；在第一无机封装层上形成偶联剂单元；在偶联剂单元上形成有机封装层；其中，有机封装层包括依次形成的缓冲子层和阻挡子层，偶联剂单元分别与第一无机封装层、缓冲子层发生化学反应以提高第一无机封装层与有机封装层之间的粘合强度，使之不易剥离，具有良好的水氧阻隔性。

主权项

一种薄膜封装方法，其特征在于，包括如下步骤：在TFT基板上形成OLED层；在所述OLED层上覆盖形成第一无机封装层；在所述第一无机封装层的外沿上裹覆形成偶联剂单元；在所述偶联剂单元的围合区上形成有机封装层；其中，所述有机封装层包括依次形成于所述偶联剂单元上的缓冲子层和阻挡子层，所述缓冲子层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成于所述偶联剂单元上，沉积所述缓冲子层使用的气体流量比例为O2：HMDSO＜3:1，所述阻挡子层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成于所述缓冲子层上，沉积所述阻挡子层使用的气体流量比例为3:1＜O2：HMDSO<18:1；在所述有机封装层上形成第二无机封装层；其中，所述偶联剂单元的截面呈三角形状，与所述第一无机封装层、所述缓冲子层发生化学反应；或者，所述偶联剂单元的截面呈矩形状，与所述第一无机封装层、缓冲子层以及所述阻挡子层发生化学反应，以提高所述第一无机封装层与所述有机封装层之间的粘合强度；所述偶联剂单元成份的化学通式为Y(CH2)nSiX3，其中，SiX3为可水解的基团，水解时生成硅醇，且SiX3与无机物质结合生成硅氧烷；n为正整数，数值范围为0～3；Y为有机官能团，与高分子聚合物发生化学反应生成氢键；X为甲氧基、氯基、乙氧基、乙酰氧基或甲氧基乙氧，Y为乙烯基、氨基、甲基丙烯酰氧基、巯基或脲基；所述有机封装层的化学通式为SiOxCyHz，厚度为1000nm～5000nm；沉积所述缓冲子层时，HMDSO的射频功率为200～800W，HMDSO的流量为10～50sccm，O2的射频功率为200～800W，时间为10～50min；沉积所述阻挡子层时，HMDSO的射频功率为200～800W，HMDSO的流量为10～50sccm，O2的射频功率为200～800W，沉积时间为＜2min，沉积厚度为10～50nm。