[发明专利]高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法

摘要

本发明提供了高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法。所述芯片包括由一个以上元胞构成的功率MOS芯片有源区、打线区，所述有源区包括源极、多晶硅栅、漏极，所述打线区包括分别用于源极、多晶硅栅进行打线的源极打线区、多晶硅栅打线区；其特征在于，进一步包括二极管区，所述二极管区包括第一齐纳二极管、第二齐纳二极管；第二齐纳二极管并联在多晶硅栅与源极之间，第一齐纳二极管与多晶硅栅串联。以及公开了基于所述芯片所封装形成的器件，以及提高功率MOS器件阈值电压的方法。本发明通过器件芯片布局设计使器件阈值得到提升，而且这些齐纳二极管可以使器件抗ESD能力得到大幅度提升。

主权项

高阈值电压功率MOS芯片，包括由一个以上元胞构成的功率MOS芯片有源区、打线区，所述有源区包括源极、多晶硅栅、漏极，以及一打线区，所述打线区包括分别用于源极、多晶硅栅进行打线的源极打线区、多晶硅栅打线区；其特征在于，进一步包括二极管区，所述二极管区包括第一齐纳二极管、第二齐纳二极管；第二齐纳二极管并联在多晶硅栅与源极之间，第一齐纳二极管与多晶硅栅串联，并连接到所述第二齐纳二极管与多晶硅栅连接点之外。