[发明专利]液晶显示像素结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510548242.9 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN105093756B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 柴立;高鹏 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种液晶显示像素结构及其制作方法。该液晶显示像素结构的每一次像素区域内包括一下拉分享电容(C)与对应连接下拉分享电容(C)的下拉分享控制TFT(T);所述下拉分享电容(C)的两电极板分别为:与下拉分享控制TFT(T)的源极(41)、漏极(43)、及数据线(45)位于同一层且共同由第二金属层形成的金属电极板(47)、与次像素电极(61)位于同一层且共同由透明导电薄膜形成的透明电极板(63);所述金属电极板(47)与透明电极板(63)之间仅间隔一钝化层(5)。金属电极板(47)与透明电极板(63)之间的间距减小,能够减小下拉分享电容(C)的面积,增大像素开口率,节约能耗,降低成本。
搜索关键词: 液晶显示 像素 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种液晶显示像素结构,其特征在于,一个子像素被划分为主像素区域和次像素区域,每一次像素区域内包括一下拉分享电容(C)与对应连接下拉分享电容(C)的下拉分享控制TFT(T);所述下拉分享控制TFT(T)包括栅极(13)、岛状有源层(3)、源极(41)、及漏极(43);所述下拉分享电容(C)的两电极板分别为:与下拉分享控制TFT(T)的源极(41)、漏极(43)、及数据线(45)位于同一层且共同由第二金属层形成的金属电极板(47)、与次像素电极(61)位于同一层且共同由透明导电薄膜形成的透明电极板(63);所述金属电极板(47)与透明电极板(63)之间仅间隔一钝化层(5);所述下拉分享控制TFT(T)的栅极(13)一体连接栅极扫描线(11);公共电压线(17)与所述下拉分享控制TFT(T)的栅极(13)、及栅极扫描线(11)位于同一层且共同由第一金属层形成;所述源极(41)、漏极(43)分别连接岛状有源层(3);所述下拉分享控制TFT(T)的岛状有源层(3)、源极(41)、漏极(43)、数据线(45)、及金属电极板(47)均设于覆盖栅极(13)、栅极扫描线(11)、与公共电压线(17)的栅极绝缘层(2)上;所述栅极绝缘层(2)对应所述金属电极板(47)的区域内设有一贯穿该栅极绝缘层(2)的第一过孔(21),所述述金属电极板(47)经由第一过孔(21)连接公共电压线(17);所述钝化层(5)覆盖所述下拉分享控制TFT(T)的岛状有源层(3)、源极(41)、漏极(43)、数据线(45)、金属电极板(47)、及栅极绝缘层(2);所述次像素电极(61)与透明电极板(63)均设于所述钝化层(5)上,次像素电极(61)经由一贯穿该钝化层(5)的第二过孔(51)连接所述下拉分享控制TFT(T)的源极(41),透明电极板(63)经由贯穿该钝化层(5)的第三过孔(53)连接所述下拉分享控制TFT(T)的漏极(43)。
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