[发明专利]制造晶体光伏电池的方法在审
| 申请号： | 201510546720.2 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105405921A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | M·瑞卡曼帕尤;F·迪林克斯;M·阿莱曼 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;郭辉 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 提供一种用于制造晶体半导体光伏电池的方法,其中所述方法包括在半导体基片的表面上的第一预定的位置处沉积介电层和在半导体基片表面上的第二预定的位置处生长掺杂的外延层,所述第二预定的位置不同于第一预定的位置也不与第一预定的位置重叠。将介电层保持作为光伏电池中的表面钝化层。掺杂的外延层形成光伏电池的发射器区域、背表面场区域或前表面场区域。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶体 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造晶体半导体光伏电池(100,200)的方法,所述方法包括:在半导体基片(10,30)的表面上的第一预定的位置处沉积介电层(12,34)；和然后，在所述半导体基片(10,30)表面上的第二预定的位置处生长掺杂的外延层(13,33)，该第二预定的位置不同于第一预定的位置也不与第一预定的位置重叠,其中在制造所述光伏电池(100,200)的过程中，所述介电层(12,34)仍然保留在所述半导体基片的所述表面上,以及其中将介电层(12,34)保持作为所述光伏电池(100,200)的表面钝化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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