[发明专利]一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe2薄膜的方法有效
| 申请号： | 201510536910.6 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105112867B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 羊新胜;金荣;蒲小艳;赵勇;魏占涛;张敏 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe2薄膜的方法，其步骤是a、溅射准备选取硅基片作为衬底、FeSe靶材作为溅射靶材，安装于磁控溅射室内，调整溅射靶材到衬底的距离为5‑7cm；b、溅射沉积将真空室抽真空至气压小于2×10‑4Pa，再通入氩气，调节溅射气压、溅射功率、衬底温度，经过一定时间的溅射在硅基片上沉积薄膜；c、后退火处理将沉积薄膜的硅基片和硒粒球一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，然后将石英管置于管式炉中，在氩气保护下进行后退火处理，即得FeSe2薄膜。该方法可制备大面积的性能良好的FeSe2薄膜，制备过程简单，能耗小，成本低，效率高，可重复性好，适合于工业化生产。 | ||
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【主权项】：
一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe2薄膜的方法，包括以下步骤:a、溅射准备：选取硅基片作为磁控溅射的衬底，选取纯度为99.99％的FeSe靶材作为磁控溅射的溅射靶材，清洗硅基片；然后分别将清洗好的硅基片和FeSe靶材安装于磁控溅射室内的相应位置，并调整FeSe靶材到硅基片的距离为5‑7cm；b、溅射沉积：将真空室抽真空至气压小于2×10‑4Pa，再通入氩气作为工作气体，调节溅射气压、溅射功率、衬底温度，经过一定时间的溅射在硅基片上沉积薄膜；c、后退火处理：将b步所得的沉积薄膜的硅基片和粒径为1mm‑1.5mm的硒粒球一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，然后将石英管置于管式炉中，在氩气保护气氛下进行后退火处理，即得FeSe2薄膜；其中，后退火处理的具体操作是：以2℃/min的升温速度升至500℃，保温6‑7h，然后炉冷。
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