[发明专利]半导体器件制造方法和半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件制造方法和半导体器件。本发明提高了固态图像传感器的性能，其中布置在像素阵列部中的每个像素都包括微透镜和多个光电二极管。并排布置在每个像素中的光电二极管之间的相对侧的位置，是由栅极图案自对准地限定的。使用与栅极层同层的检查图案作为叠加标记来检查并确定布线上的要形成微透镜的位置。

主权项

一种半导体器件制造方法，其用于制造具有固态图像传感器的半导体器件，所述固态图像传感器设置有包括第一光电二极管、第二光电二极管和透镜的像素，所述方法包括以下步骤：(a)准备衬底，所述衬底在其上表面上方具有第一区域和第二区域；(b)在所述第一区域中的所述衬底的上表面上方形成第一导电类型的阱区；(c)在所述第一区域中的所述衬底上方形成第一栅极层，以及在所述第二区域中的所述衬底上方形成第二栅极层；(d)通过使用所述第一栅极层作为掩模将杂质注入到所述第一区域中的所述衬底的上表面中，在所述第一区域中的所述衬底的上表面上方形成毗邻所述第一栅极层的所述第一光电二极管和所述第二光电二极管，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管包括不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第一半导体区；(e)在所述步骤(d)之后，在所述衬底上方形成布线层；以及(f)在所述布线层上方，在使用所述第二栅极层作为基准来确定的位置中，形成所述透镜，其中，在所述步骤(d)中，当在平面图中看时，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管分别形成在所述第一栅极层的两侧上。