[发明专利]使用CF4来增强氧自由基产生的自由基增强的原子层沉积

摘要

本发明涉及使用CF₄来增强氧自由基产生的自由基增强的原子层沉积。公开了在位于反应室内部中的基材表面上执行自由基增强原子层沉积过程的方法。所述方法包括从由CF₄和O₂构成的气体混合物形成等离子体，其中CF₄存在的浓度处于从0.1体积％至10体积％范围内。由所述气体混合物形成的等离子体比在气体混合物中不存在CF₄时更快地产生氧自由基O*。所述方法还包括将氧自由基和前体气体顺序地供给至反应室的内部，从而在基材的表面上形成氧化物膜。还公开了用于使用快速形成的氧自由基来执行自由基增强的原子层沉积过程的系统。

主权项

在位于反应室内部中的基材表面上执行自由基增强的原子层沉积(RE‑ALD)过程的方法，包含：提供CF₄气体和O₂气体的气体混合物，其中CF₄气体存在的浓度处于从0.1体积％至10体积％范围内；由所述气体混合物形成等离子体，从而以比在气体混合物中不存在CF₄气体时更快的速率产生氧自由基；和将氧自由基和前体气体顺序地供给至反应室内部中，从而在基材表面上形成氧化物膜。