[发明专利]量子点发光层、其制备方法及QLED在审

专利信息
申请号: 201510534838.3 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN105185918A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 李雪;付东 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于量子点发光二极管领域,提供了一种量子点发光层、其制备方法及QLED。所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体,所述配体为含有极性配位基团的C2-C10化合物,所述配体具有电荷传输性质。其制备方法为:提供含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液,制备具有电荷传输性质配体的量子点溶液;将所述量子点溶液以沉积方式形成量子点发光层。或分别提供具有电荷传输性质的配体溶液和量子点发光层;将所述量子点发光层与具有电荷传输性质的配体进行置换反应,获得具有电荷传输性质的配体螯合的量子点发光层。所述QLED,包括阴极层、阳极层和有机功能层,所述有机功能层包括上述量子点发光层。
搜索关键词: 量子 发光 制备 方法 qled
【主权项】:
一种量子点发光层,所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体,其特征在于,所述配体为含有极性配位基团的C2‑C10化合物,所述配体具有电荷传输性质。
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