[发明专利]一种红外成像芯片真空封装结构在审
| 申请号： | 201510534150.5 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105244384A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 尤为 | 申请（专利权）人： | 无锡伊佩克科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外成像芯片真空封装结构，包括红外窗口、红外成像芯片、两个垫片、吸气剂、可见光窗口；其中，垫片键合在可见光窗口的上表面，形成用于真空封装的腔体，所述红外成像芯片和吸气剂设置在腔体内，吸气剂位于红外成像芯片与可见光窗口的上表面之间，红外窗口键合到腔体上，形成真空密封腔体。本发明可以选择性增透波长8～14μm的红外辐射，有效地保护内部脆弱的芯片结构，封闭性能好；该真空封装结构的空气漏率低；本发明封装结构简单、功耗低且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 成像 芯片 真空 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种红外成像芯片真空封装结构，其特征在于，包括红外窗口、红外成像芯片、两个垫片、吸气剂、可见光窗口；其中，垫片键合在可见光窗口的上表面，形成用于真空封装的腔体，所述红外成像芯片和吸气剂设置在腔体内，吸气剂位于红外成像芯片与可见光窗口的上表面之间，红外窗口键合到腔体上，形成真空密封腔体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
