[发明专利]掩膜结构的制造方法有效
| 申请号： | 201510532180.2 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486345B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 卢子轩;王跃刚;王清蕴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩膜结构的制造方法，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜；所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部。将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，本发明通过向开口吹入气体，使开口处的杂质被吹落；同时，将保护膜装置置于由静电发生装置提供的静电场中，被吹落且带电的杂质，在静电场作用下被吸附并远离保护膜装置，从而去除开口处的杂质，进而提高掩膜版的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜结构的制造方法，其特征在于，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层，所述图形金属层包括图形区以及图形区以外的非图形区；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜，所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部，且使所述多个支撑侧壁与图形金属层的非图形区相接触且围绕所述图形区设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
