[发明专利]一种微波退火装置有效
| 申请号： | 201510529534.8 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105185733B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 时继东;冯道伦;赵敏;胡亦杨 | 申请（专利权）人： | 上海海事大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 贾慧琴;尹兵 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波退火装置，该装置包含：壳体；套置于该壳体内的微波退火池；设置在该壳体与微波退火池顶部的顶盖，用于封闭微波退火池；其中，该微波退火池为包含一中空部的容器，该容器的底部设置有石英坩埚，用于放置退火样品。本发明提供的微波退火装置制作成本低，保温性能好，测温方便，可以灵活对不同介电常数的物质实现微波退火和烧结；而且，本发明的装置可以实现平行的微波退火，相较马弗炉退火，能节约大量的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 退火 装置 | ||
【主权项】：
1.一种微波退火装置，其特征在于，该装置包含：壳体(10)，套置于所述壳体(10)内的微波退火池(20)；设置在所述壳体(10)与微波退火池(20)顶部用于封闭微波退火池(20)的顶盖(30)；其中，所述的微波退火池(20)为包含一中空部(21)的容器，该容器的底部设置有石英坩埚(22)，用于放置退火样品(1)；所述的中空部(21)中填充SiC颗粒及其他功能材料，以实现对不同介电常数物质的微波退火和烧结；所述的微波退火池(20)上还设置有SiC盖(23)；所述的顶盖(30)由若干层耐温玻璃层构成；所述的顶盖(30)的最外层耐温玻璃层的直径大于壳体(10)的外径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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