[发明专利]一种集成电路分析中透射电镜平面样品的制备方法有效
| 申请号： | 201510514446.0 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105158516B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈强;史燕萍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路分析中透射电镜平面样品的制备方法，该方法包括提供一个承载片，并将含有目标结构样品的芯片和所述的承载片按水平方向固定在样品座上，并放入聚焦离子束装置的工艺腔中，采用聚焦离子束切下一块含有目标区域的芯片结构；并使用纳米操作仪将切下的芯片结构焊接在所述承载片平整且干净的边上；将焊接有所述芯片结构的承载片从聚焦离子束装置的工艺腔中取出后，调整为垂直方向再放入聚焦离子束装置的工艺腔中；使用纳米操作仪将所述芯片结构转移并焊在TEM铜环上；使用聚焦离子束从集成电路芯片的表面层开始去除所述预设目标层之上的一层或多层，获得所需的平面TEM样品。因此，该方法可以降低制样难度和分析成本，提高分析效率和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 分析 透射 平面 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路分析中透射电镜平面样品的制备方法，用于暴露具有多层结构的集成电路芯片的至少一预设目标区域，其中，所述的预设目标区域中包含需检测的目标结构样品，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供一个承载片，并将含有目标结构样品的芯片和所述的承载片按水平方向固定在样品座上，并放入聚焦离子束装置的工艺腔中，其中，所述承载片至少有一个平整且干净的一条边；步骤S2：采用聚焦离子束切下一块含有目标区域的芯片结构；并使用纳米操作仪将切下的芯片结构焊接在所述承载片平整且干净的边上；其中，所述含有目标结构样品的芯片各层与所述聚焦离子束发射方向相垂直；步骤S3：将焊接有所述芯片结构的承载片从聚焦离子束装置的工艺腔中取出后，将所述承载片调整为垂直方向再放入聚焦离子束装置的工艺腔中；步骤S4：使用纳米操作仪将所述芯片结构转移并焊在TEM铜环上；步骤S5：使用聚焦离子束，从集成电路芯片的表面层开始去除所述预设目标层之上的一层或多层，获得所需的平面TEM样品，其中，所述含有目标结构样品的芯片各层与所述聚焦离子束发射方向相平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510514446.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
